Shenzhen Best LED Opto-electronic Co., Ltd tilbyder slags LED med forskellige bølgelængder fra 365 nm til 1550 nm. For infrarød LED, kan bølgelængden være: 660nm 680 nm 690 nm 700 nm 710nm 720 nm 730 nm 740 nm 750 nm 760 nm 770nm 780nm 800nm 810nm 820 nm 830 nm 850 nm 860nm 870nm 880nm 890nm 900nm 905nm 910nm 920nm 940nm 950nm 970nm 980nm 1000 nm 1020nm 1050 nm 1200 nm 1300 nm 1500 nm 1550 nm. For UV LED kan bølgelængden være 365 nm 370 nm 380 nm 390 nm 400 nm 410 nm 420 nm 430 nm osv. Andre bølgelængder er også tilgængelige, som er lavet af AlGaAs / AlGaAs infrarød chip. Disse LED'er har en stabil ydeevne og lang levetid. 3528 SMD LED 750 er en højeffektiv infrarød emitterende diode i GaAlAs på GaAs-teknologi, støbt i klare, hvide klare tonede plastpakker. I sammenligning med standard GaAs på GaAs-teknologi opnår disse emittere mere end 100% forbedring af stråleeffekt ved en lignende bølgelængde. Fremspændingerne ved lav strøm og ved høj pulsstrøm svarer omtrent til de lave værdier for standardteknologien. Derfor er disse emittere ideelle som udskiftning af standardemittere med høj ydeevne. Rød plet infrarød LED bølgelængde tolerance er ± 10 nm. IR-par

- Dimensionsparametre -

Disse SMD LED-kasser fås også til IR LED, UV LED, Blue SMD LED, Red SMD LED, Amber LED ect.

- Emitterende farve -

- Elektriske parametre -

Absolutte maksimale vurderinger ved Ta = 25 ℃

Parameter	Symbol	Rating
Power Dissipation	Pd	270mW
Pulse Forward Current	IFP	350mA
Forward Current	IF	100mA
Reverse Voltage	VR	5V
Junction Temperature	Tj	115°C
Operating Tempertature	Topr	-40 - +80°C
Storage Tempertature	Tstg	-40 - +100°C
Soldering Temperature	Tsol	260°C
Electro-Static-Discharge(HBM)	ESD	2000v
Warranty	Time	5Years
Antistatic bag	Piece	2000Back
*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us.
*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C

Optiske og elektriske egenskaber (T c = 25 ℃)

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Forward Voltage	VF	2.2		2.7	V	IF=100mA
Pulse Forward Voltage	VF		3.6		V	IFP=350mA
Radiant Intensity	IE	50		70	mw/sr	IF=100mA
Peak Wavelength	λP	750	755	760	nm	IF=100mA
Total Radiated Power	PO		5.6		mw	IF=100mA
Half Width	Dl		50		nm	IF=100mA
Viewing Half Angle	2q1/2		±60		deg	IF=100mA
Reverse Current	IR			5	uA	VR=5V
Rise Time	Tr		25		ns	IF=100mA
Fall Time	Tf		13		ns	IF=100mA
*Luminous Intensity is measured by ZWL600.
*q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity.
*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device.

- 750 nm LED -

- Golden Wire Connection -

* For at holde hver eneste af LEDs lange levetid bruger BestLED-fabrikken høj guldtråd til indvendig kredsløbstilslutning

- Pakning -

* Vi pakker det med vakuumpakning efter tape det som en rulle

-Ansøgning-

- Relateret IR-LED -

- 750 nm LED-brug -